En 2017 Gaofei
Tang y otros once ingenieros publicaron un artículo llamado Digital Integrated Circuits on an E-Mode
GaN Power HEMT Platform (Circuitos integrados digitales en una plataforma
transistor de alta movilidad de electrones de nitruro de galio en modo E), donde lograban un sinnúmero de
avances en la estructura interna de los FET, dándole características de 200°C
de temperatura de trabajo, convirtiéndolo en un FET en forma de
disco que muestran un gran potencial para aplicaciones de circuitos
integrados de potencia.
El trabajo
realizado por el grupo de trabajo del señor Tang en la fase de pruebas arrojó que la dependencia se debe a la reducción más severa en la corriente de drenaje
(debido al desplazamiento más positivo del voltaje de umbral) del transistor
de alta movilidad de electrones
en modo E a temperaturas elevadas. Además, el nivel de voltaje "bajo"
de salida VOL se hace más grande a temperaturas más altas, como resultado del
aumento de la resistencia de encendido RON del modo E HEMT.
Lo cual ayudo a
concluir entre otras cosas que el inversor DCFL de alto rendimiento ha
demostrado un enorme potencial para aplicaciones integradas de circuitos
lógicos basados en GaN, debido a la gran variación de voltaje lógico de
entrada, amplio margen de ruido y estabilidad a altas temperaturas.
En la
investigación se logró apreciar la utilización del método de búsqueda por
relación áurea, debido a que se necesitaron un gran numero de experimentaciones
para lograr llegar a un resultado óptimo, teniendo en cuenta que las pérdidas
de la implementación del nuevo compuesto debían crear características nuevas en
sus componentes homogéneos, el cual debido a la planificación llevada a cabo
por el grupo de trabajo dio frutos bastante significativos para la obtención de
resultados óptimos.
Fig. 1 Sección transversal esquemática del HEMT integradas monolíticamente
Imagen tomada del artículo.
Imagen tomada del artículo.
Referencias
G. Tang, et al., "Digital Integrated Circuits
on an E-Mode GaN Power HEMT Platform", IEEE Electron Device
Letters, vol. 38, no. 9, pp. 1282-1285, 2017.
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